岗位职责：
1. 负责GaN、GaAs相关产品工艺技术开发和工艺流程整合；
2. 负责器件结构设计；
3. 完成科研&外协任务；
4. 完成上级交付的各项临时工作任务。
岗位要求：
1. 学历要求：本科及以上学历；
2. 专业要求：微电子、物理、微波、通信等相关专业；
3. 经验要求：本科3年以上，研究生学历不要求工作经验但要求专业对口；
4. 熟悉半导体器件物理，了解半导体工艺，有GaN HEMT、GaAs工艺经验者优先；
5. 做事细心、责任心强、吃苦耐劳、具备较强的求知欲，团队精神佳。
